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- 产品描述
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概述
设备采用In-feed 磨削原理而设计，采用粗磨精磨轨迹重合技术，提高设备磨削加工精度。磨削过程采用自适应控制技术，控制磨削应力，提高晶片质量。
性能指标圆晶直径
Max.Φ300mm
磨削方式
In-feed grinding with wafer rotation
通过旋转晶圆，实现纵向切入式磨削
主轴
主轴数量
2
输出功率
7.5KW
转速
1000-4000rpm
Z轴
行程
120mm(有初始化位置)
进给速度
0.00001~0.08mm/s
最大返回速度
50mm/s
分辨率
0.1pm
承片台数量
3
工作台转速
0-300rpm
减薄精度
片内厚度偏差
<3μm
片间厚度偏差
<±3μm
表面粗糙度Ra
根据使用的砂轮目数决定
测量仪
测量范围
0-1800μm （选配）
分辨率
0.1μm （选配）
重复精度
±0.5μm （选配）
其他规格
外形尺寸(WxDxH)
1200mmx1800mmx1910mm
设备重量
≈3300 kg
产品特色●采用In-feed 磨削原理而设计;
●磨削过程采用自适应控制技术，控制磨削应力，提高晶片质量；
●设备配有3个可定制尺寸和类型的多孔陶瓷台，承片台轴采用精密机械轴承;
●双轴三承片台结构，粗磨精磨磨削同时进行，加工效率大幅度提高;
●采用粗磨精磨轨迹重合技术，提高设备磨削加工精度。
